Samsung Electronics dévoile sa mémoire flash V-Nand de 1 térabit

Publié le: 2017-08-09 16:02:57 Mis à jour le: 2017-08-09 22:47:37

Samsung Electronics dévoile sa mémoire flash V-Nand de 1 térabit

Le géant sud-coréen de l’électronique Samsung Electronics a présenté pour la première fois sa mémoire flash V-Nand de 1 térabit. Il l’a fait au sommet de mémoire flash 2017, qui s'est ouvert hier à Santa Clara, en Californie aux Etats-Unis.
 
Cette puce en 3D augmente la densité de stockage. Elle est largement utilisée pour stocker les données de téléphones portables ou de caméras numériques.
 
Un térabit est l’équivalent de 128 giga-octets (Go), suffisant pour stocker 60 à 70 films de deux heures en haute définition.

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