ⓒYONHAP News

أعلنت شركة سام سونغ للإلكترونيات يوم الثلاثاء الماضي أنها اختارت مدينة "تايلور" في ولاية "تكساس" الأمريكية كموقع لمنشأة تصنيع أشباه الموصلات الجديدة.

وسوف يبدأ العمل في بناء هذه المنشأة خلال النصف الأول من العام القادم بتكلفة قدرها 17 مليار دولار، وسوف ينتهي في النصف الثاني من عام 2024.

ويعد هذا المشروع أكثر مشروعات سام سونغ الاستثمارية حجما في الولايات المتحدة.

وكانت سام سونغ قد كشفت عن خطتها لبناء منشأة جديدة لتصنيع أشباه الموصلات في الولايات المتحدة في اجتماع المائدة المستديرة التجارية الكورية الأمريكية الذي عقد في شهر مايو الماضي في واشنطن.

وكانت سام سونغ التي تعد أكبر شركة لتصنيع شرائح الذاكرة في العالم، قد فكرت أيضا في كل من "أوستن" بولاية "تكساس"، و"غوت إير" و"كوينكريت" بولاية "أريزونا"، و"جينيسي كاونتي" بولاية "نيويورك، لكنها اختارت "تايلور" بسبب الحوافز التي وعدت بها الحكومات المحلية وقربها من مصنعها الآخر للرقائق في "أوستن".

وسوف يتم بناء مصنع سام سونغ الجديد في "تايلور" على مساحة بضعة ملايين متر مربع، على بعد 25 كيلومترا فقط عن مصنعها في "أوستن".

وتخطط سام سونغ لإنتاج شرائح متقدمة قابلة للتطبيق في الأجهزة المحمولة وشبكات الجيل الخامس والحوسبة عالية الأداء والذكاء الاصطناعي.

ومن المتوقع أن يكون مصنع "تايلور" الجديد بمثابة الموقع الرئيسي لقدرات سام سونغ العالمية لتصنيع أشباه الموصلات، إلى جانب قاعدة إنتاجها الجاري بناؤها الآن في مدينة "بيونغ تيك" في كوريا الجنوبية، مما سيسهم في استقرار سلسلة التوريد العالمية لأشباه الموصلات.

وبموجب "رؤية 2030 لأشباه موصلات النظام" التي وضعتها سام سونغ، تهدف الشركة إلى أن تكون الأولى في العالم ليس فقط في مجال أشباه موصلات الذاكرة ولكن أيضا في أشباه موصلات النظام، بما في ذلك المسابك، حتى عام 2030.

وطبقا لتقرير صادر عن شركة "ترند فورس" التايوانية المتخصصة في أبحاث السوق، احتلت سام سونغ المركز الثاني في سوق المسابك العالمية بنسبة 17.3% من الحصة السوقية في الربع الثاني من هذا العام، بعد شركة "تي إس إم سي" التايوانية التي تصل حصتها في السوق العالمية إلى 52.9%.

وترى سام سونغ أنها قادرة على تضييق الفجوة في الحصة مع الشركة التايوانية بوتيرة سريعة بفضل تفوقها التكنولوجي في إنتاج معالجات بدقة تصنيع تبلغ 3 نانومتر، حيث تخطط للإنتاج التجاري لمعالجات 3 نانومتر خلال النصف الأول من العام القادم، وتطبيق الجيل القادم من بنية الترانزيستور.