韩国国际广播电台报道：三星电子25日通过全球最早的3纳米（一纳米等于十亿分之一米）工序成功量产晶圆代工(foundry)产品。 
 
三星电子领先半导体业排名第一的台积电（TSMC）量产3纳米芯片，继记忆半导体之后，在晶圆代工领域也奠基迈向世界第一。
 
三星电子当天在京畿道华城厂区内的极紫外线(EUV)专用V1生产线举行了采用全环绕栅极晶体管(Gate-All-Around)技术的3纳米晶圆代工产品出厂仪式。产业通商资源部长官李昌洋、三星电子DS部门负责人庆桂显和公司领导以及合作公司有关人员等100余人出席了当天的活动。
 
此前，三星电子6月底宣布，该公司率先在全球开始量产采用全环绕栅极晶体管技术的3纳米制程技术芯片。3纳米工序是半导体制造工序中最领先的技术，三星电子超越台积电和美国英特尔等代工竞争企业，成为全球首家量产3纳米芯片的公司。