La compañía Electrónica Samsung anunció que consiguió producir el semiconductor de memoria DDR 3 DRam, el cual es 4 veces más veloz que el Dram y consume menos energía.

El DDR 3Ram se caracteriza por tener 1.066 Gigabits, ser 4 veces más rápido que el Dram y 2 veces más veloz que el DDR 2, que es uno de los productos más promisorios.