SK Hynix ha logrado desarrollar por primera vez en el mundo una memoria flash NAND 4D de 238 capas.

La firma hizo el anuncio pertinente el miércoles 3 de agosto, especificando que el producto ostenta una capacidad de 512 gigavatios y una estructura TLC, o celda de nivel triple. Anticipó que pronto presentará muestras de dicha memoria, la más sofisticada de su clase entre las existentes actualmente, y que empezará a producirla en masa en el primer semestre de 2023.

El flash NAND desarrollado por SK Hynix no solo presenta el mayor número de capas, sino que también es más pequeño en dimensión que las memorias de la generación anterior, de 176 capas, y es un 34% más rendidor. Además, aumenta un 50% la velocidad de tráfico de datos, mientras que usa un 21% menos energía.