SK Hynix ha logrado un importante avance en la industria de semiconductores al desarrollar la memoria DRAM más avanzada y miniaturizada del mundo.

La compañía surcoreana anunció el jueves 29 que ha tenido éxito en el desarrollo de la memoria DRAM DDR5 de 6ª generación (1c) con una capacidad de 16Gb (gigabits), marcando un hito en las tecnologías de memoria de semiconductores.

La nueva tecnología de 6ª generación de SK Hynix se caracteriza por un tamaño ultrapequeño de 10 nanómetros, y está diseñada para usarse en centros de datos de alto rendimiento. Esta nueva DRAM tiene una velocidad de operación de 8 Gbps (gigabits por segundo) o un 11% más que la generación anterior, además de mejorar su eficiencia energética en un 9%.

SK Hynix completará los preparativos para la producción en masa de la DDR5 de 6ª generación durante este año, con la intención de sacar el producto al mercado a partir del próximo año.

Asimismo, aplicará esta tecnología en futuras memorias de alto ancho de banda (HBM), como HBM4E de 7ª generación, consolidando su liderazgo en la industria de semiconductores.