韩国国际广播电台报道：三星电子30日宣布，该公司开始量产采用全环绕栅极晶体管（Gate-All-Around）技术的3纳米制程技术芯片。由此，三星成为全球首家量产3纳米芯片的公司。

全环绕栅极晶体管技术用栅极对构成半导体的晶体管中电流流经的通道进行四面环绕。三星是全球最早运用这一技术的公司。

三星强调，与仅围绕通道三面的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术相比，全环绕栅极晶体管技术可提高数据处理速度和电力效率，是下一代技术。

三星电子是全球首家采用全环绕栅极晶体管技术进行3纳米芯片量产的代工企业。

三星电子表示，将以高性能计算系统芯片为始，今后还计划在移动用单片系统（System on Chip，即把可完全驱动的产品和系统集成到一个芯片上）的生产中运用3纳米技术。

三星还表示，采用全环绕栅极晶体管技术的3纳米工艺通过设计、工艺、技术的共同最优化，可降低45%的功耗，生产性能提高23%的产品。