韩国国际广播电台报道：美国政府当地时间15日宣布，决定向在美国得克萨斯州兴建尖端半导体工厂的三星电子提供64亿美元(约8.8505万亿韩元)的半导体补贴。

美国商务部长吉娜 · 雷蒙多(Gina Raimondo)在前一天的新闻发布会上表示，美国将根据《半导体法》，为三星电子在得克萨斯尖端半导体工厂的投资提供64亿美元的补贴。

据悉，三星电子计划在美国得克萨斯州泰勒市投资170亿美元(约23.5万亿韩元)，扩大兴建中的半导体工厂规模和投资设施。截至2030年，三星电子共投资约450亿美元(约62.3万亿韩元)。

三星电子计划自2022年起在得克萨斯州泰勒市建设的半导体生产工厂的基础上增建新的半导体工厂，建立包装设施和尖端半导体研发(R&D)中心，以此正式进军美国市场。

三星电子在首家得克萨斯泰勒半导体工厂计划从2026年开始生产4纳米和2纳米半导体芯片，第二家工厂计划从2027年开始批量生产尖端半导体。设在当地的尖端半导体研发中心也将于2027年开始启动。

美国商务部长吉娜 · 雷蒙多（Gina Raimondo）强调说，根据拜登总统“投资美国”的倡议，再次庆祝历史性的投资。有鉴于此，世界最尖端半导体芯片将在美国生产。

三星电子的半导体补贴是继美国半导体企业英特尔和台湾企业台积电(TSMC)之后的第三大规模。美国政府于上月20日曾发表向英特尔提供85亿美元补助和110亿美元贷款等共计195亿美元的支援方案。本月8日，向世界最大规模的半导体委托生产企业台积电公开了包括66亿美元补助在内的共计116亿美元的支援方案。