Samsung Electronics resmi memulai produksi massal semikonduktor proses 3 nanometer untuk pertama kalinya di dunia.

Samsung menyampaikan informasi ini pada Kamis (30/06), bahwa pihaknya mulai memproduksi semikonduktor melalui proses 3 nanometer menggunakan teknologi "Gate All Around" (GAA).

Teknologi GAA yang diterapkan Samsung ini adalah yang pertama kalinya di dunia, berupa jenis gerbang yang mengelilingi empat sisi saluran arus listrik dalam transistor yang merupakan semikonduktor.

Samsung menegaskan teknologi GAA merupakan teknologi generasi terbaru yang secara signifikan dapat meningkatkan efisiensi daya dibandingkan teknologi sebelumnya Multi-Bridge-Channel FET (MBCFFET) yang hanya melindungi tiga sisi saluran.

Perusahaan besar Korea Selatan ini menerangkan, melalui cip 3 nanometer ini maka pihaknya dapat merilis produk dengan peningkatan kinerja sebesar 23 persen dan penurunan konsumsi daya sebesar 45 persen.

Samsung berencana akan meningkatkan kinerja dan penggunaan konsumsi daya ini melalui proses GAA generasi selanjutnya.