Samsung Electronics планирует наладить массовое производство микросхем DRAM (динамическая память с произвольным доступом) и флеш-памяти NAND следующего поколения. Об этом объявил исполнительный вице-президент Samsung Electronics и глава подразделения продуктов и технологий флэш-памяти Ли Чон Бэ на мероприятии Samsung Tech Day, проходившем в Силиконовой долине, штат Калифорния, 5 октября. По его словам, уже в следующем году компания будет производить DRAM класса 10 нм 5-го поколения, а в 2024 году запустит массовое производство V-NAND 9-го поколения. В настоящее время производится DRAM класса 10 нм 4-го поколения  и V-NAND 7-го поколения. Технология флеш-памяти V-NAND («V» означает вертикальное расположение слоёв ячеек в трёхмерном пространстве) является собственным изобретением Samsung Electronics. Компания также представила портфолио из порядка 900 системных полупроводников  для обработки информации, включая системы на кристалле (SoC), датчики изображения и модемы 5G для автомобилей, и объявила свою новую стратегию развития интегрированного производства.