Samsung Electrónica anunció el jueves 30 el comienzo de la producción en masa de los primeros semiconductores de 3 nanómetros del mundo, aplicando tecnología "GAA (Gate-All-Around)". 

La tecnología GAA permite reducir el consumo de energía hasta un 45% y mejorar el rendimiento en un 23% respecto al estándar actual, FinFET. 

La firma surcoreana planea aplicar esta nueva tecnología en la producción de chips de procesadores para computación de alto rendimiento y de sistema de chips para móvil, al ser un circuito integrado que incluye todo el sistema electrónico o informático.