韩国国际广播电台报道：韩国三星电子公司在世界上首次批量生产20纳米级DRAM内存芯片。20纳米级芯片将比三星电子原先的主力产品30纳米级芯片降低40%的成本，这样可以提高产品竞争力。

三星电子自本月开始，已经在韩国京畿道华城纳米综合园区的16号半导体存储器生产线批量生产20纳米级DRAM内存芯片。22号在京畿道器兴、华城的2家工厂举行了20纳米级内存芯片的批量生产仪式。 这将意味着三星电子与日本、台湾等同行业者的技术差距将会进一步拉大。

世界第二大存储芯片制造商海力士计划今年年底前研发20纳米级新产品，并于明年年初投入批量生产。今年5月，日本芯片厂家尔必达曾宣布将从7月开始批量生产25纳米级DRAM内存芯片，但至今没有推出样品。