Afin de marquer sa première expédition des puces 3 nanomètres de nouvelle génération élaborées grâce à la technologie de transistor Gate-All-Around (GAA), Samsung Electronics a organisé une cérémonie au centre de production de Hwaseong, situé à quelque 40 kilomètres au sud de Séoul.

Les professionnels du secteur estiment que la production en série des puces gravées en 3 nm par Samsung pourrait entraîner un changement important sur le marché, actuellement dominé par le géant taïwanais TSMC.

La firme sud-coréenne a annoncé à la fin du mois dernier le lancement de la production en masse de ses nouvelles puces. Elle est alors devenue la première à appliquer cette technologie la plus avancée parmi les différents procédés de fabrication de semi-conducteurs, devant ses concurrents TSMC et l’américain Intel.

Il s'agit d'une plaquette de semi-conducteur de 3 nanomètres produite pour la première fois au monde par Samsung Electronics. Après avoir mis au point la technologie de transistor GAA, le géant sud-coréen a également réussi à lancer la production de masse de puces gravées en 3 nm. Cette dernière correspond à environ 1/30 000 de l'épaisseur d'un cheveu humain. Il s’agit d’un semi-conducteur de pointe gravé de circuits électroniques microscopiques.

Grâce à une nouvelle méthode de conception consistant à empiler plusieurs couches, cette puce dernier cri affiche une meilleure vitesse de traitement des données et une meilleure efficacité énergétique.

Ainsi, Samsung Electronics prend une longueur d'avance sur son éternel rival taïwanais TSMC. Sachez qu’au premier trimestre de cette année, ce dernier représentait 53,6 % des ventes alors que Samsung ne tablait qu’à 16,3 %.

Les puces 3 nm de nouvelle génération seront utilisées pour les ordinateurs qui nécessitent une faible puissance et une haute performance. L’enjeu serait donc de réduire au maximum le taux de défaillance et d’améliorer la confiance des clients envers les produits afin de trouver de nouveaux débouchés suffisants.