Samsung Electrónica se ha convertido en la primera empresa del mundo en producir chips de tres nanómetros en masa, adelantándose a su rival taiwanesa TSMC, actual número uno del mercado global de semiconductores.

El lunes 25 la firma celebró el envío del primer cargamento a un cliente en una actividad promocional en el complejo productivo de Hwaseong, en la provincia de Gyeonggi.

Este salto tecnológico, que promete un mayor rendimiento y el doble de eficacia que con los chips convencionales de 5 nanómetros, fue posible gracias a un nuevo sistema llamado GAA (Gate-All-Around) concebido por Samsung, que supera al actual FinFET, el más usado hasta la fecha. La nueva tecnología GAA de la firma surcoreana reduce un 45% el consumo eléctrico y un 16% la superficie necesaria en el nodo de fabricación de chips de 3 nanómetros, mientras rinde un 23% más. 

Samsung Electrónica comenzó a investigar sobre la estructura de transistores GAA a comienzos de la década del 2000 y empezó a aplicarla para fabricar chips 3 nanómetros en el año 2017. 

En la ceremonia de lanzamiento del lunes la compañía explicó que esta nueva tecnología revolucionará la industria, anticipándose a futuras limitaciones técnicas y obsolescencia de los transistores FinFET. 

Además, Samsung considera la producción de chips 3 nanómetros como un poderoso recurso para competir contra TSMC en el ámbito de la fundición de semiconductores, que consiste en fabricar los diseños de chips de otras empresas sin necesidad de instalar un fábrica (fabless). En este sector, TSMC ostentó una cuota de mercado del 53,6% durante el primer trimestre de 2022, aunque Samsung apenas logró un 16,3%.