Samsung công bố chíp nhớ V-NAND dung lượng 1 Tb

Đăng tải : 2017-08-09 18:15:25 Cập nhật : 2017-08-09 18:17:56

Samsung công bố chíp nhớ V-NAND dung lượng 1 Tb

Tại triển lãm "Flash Memory Summit 2017" diễn ra tại bang California (Mỹ) vào hôm 8/8 (theo giờ địa phương), hãng điện tử Samsung đã lần đầu công bố sản phẩm chíp nhớ V-NAND có dung lượng lên tới 1 Tb (terabyte)
 
Chíp V-NAND sử dụng công nghệ bộ nhớ flash, với cấu trúc dọc ba chiều, xếp chồng các ô nhớ (cell) lên nhau để tăng mật độ lưu trữ, chủ yếu được dùng để lưu dữ liệu cho điện thoại di động hay máy ảnh kỹ thuật số.
 
Samsung cho biết sản phẩm này đã được nâng gấp đôi dung lượng ô nhớ ba chiều dùng để lưu trữ dữ liệu, từ 512 Gb (Gigabyte) như hiện nay lên 1 Tb. Đặc biệt, hãng này sẽ có thể nâng tiếp dung lượng chíp lên 2 Tb nếu xếp chồng 16 lớp ô nhớ.
 
Với dung lượng 1 Tb, chíp nhớ này có thể lưu trữ được khoảng từ 60 tới 70 phim điện ảnh ở chất lượng phân giải cao (HD), với mỗi phim có dung lượng trong khoảng từ 1,5 Gb tới 2 Gb.
 
Trong năm sau, Samsung có kế hoạch sẽ cho ra mắt ổ cứng SSD với dung lượng tối đa nhờ áp dụng loại chíp nhớ V-NAND 1 Tb mới công bố lần này.

  • RSS
  • Facebook
  • Twitter
  • In bài
  • Danh sách
  • Top
prev  prev  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 next
Internet Radio On-Air Window to KBS WORLD Radio Window to KOREA
Tiếng Hàn không khó (Mobile)
Toàn cảnh Bắc Triều Tiên
Dịch vụ khác
Dịch vụ RSS
  • Dịch vụ RSS
  • Đăng ký địa chỉ RSS, có thể cập nhật liên tục tin tức, các chuyên mục trên website của KBS WORLD Radio.

<

3 / 4

>