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Samsung Electronics a déclaré, mardi, avoir choisi Taylor au Texas comme site de sa seconde usine de semi-conducteur aux Etats-Unis. Le géant de l’électronique sud-coréen a officialisé cette décision six mois après l’annonce de son plan de construction. Le groupe devrait investir, dans ce projet, 17 milliards de dollars, un montant record jamais encore investi sur le sol américain. Il prévoit de lancer les travaux au premier semestre de l’année prochaine pour rendre la nouvelle usine opérationnelle dès le deuxième semestre 2024.

La firme sud-coréenne a jeté son dévolu sur cette commune texane de 17 000 habitants parmi divers sites candidats, notamment du fait de la promesse tenue par la ville de Taylor lui promettant un grand avantage fiscal de l’ordre de 1 milliard de dollars. Le nouveau site est situé à 25 km de son usine d’Austin. Dans les environs, se trouvent le siège social de Dell, le plus grand fabricant américain d’ordinateurs, ainsi que les laboratoires ou filiales de quelques entreprises spécialisées dans la conception de puces électroniques comme AMD, AMR et Qualcomm. La nouvelle chaîne de production sera dotée d’un procédé de pointe, afin de fabriquer des puces logiques de différents secteurs dont le réseau 5G, le calcul intensif (HPC) ou encore l’intelligence artificielle (IA). Quant à celle d’Austin, elle est spécialisée dans le procédé de 14 nanomètres pour fabriquer des puces destinées aux équipements d’information et de communication.

Samsung Electronics devait faire de son nouveau site de Taylor le fer de lance pour accomplir sa « System Semiconductor Vision 2030 », et ce également avec l’usine 3 de Pyeongtaek, en Corée du Sud, qui est actuellement en construction. Etant déjà le champion des puces mémoires, il affiche l’ambition de prendre la tête mondiale dans les puces non-mémoires, y compris la fonderie. Ce n’est pas gagné d’avance. Le géant taiwanais TSMC jouit d’une supériorité absolue sur le marché mondial de la fonderie. Selon le cabinet d’études taiwanais TrendForce, il s’est taillé la part du lion avec 52,9 % de part de ce marché au second trimestre de cette année, tandis que Samsung Electronics en a occupé seulement 17,3 %. Le géant sud-coréen espère qu’il pourra réduire rapidement l’important écart en lançant la production en masse avec le procédé en 3 nanomètres au premier semestre de l’année prochaine, et ce avant TSMC. Et il compte prendre de l’avance pour mettre en place des transistors de type « Gate-All-Around » afin d’occuper une place supérieure en termes de compétitivité technologique.

Cette année, Samsung Electronics fête le 25e anniversaire de sa percée sur le sol américain. Selon ses représentants, la construction de sa nouvelle usine à Taylor ouvrira les portes d’un nouvel avenir.