Hãng điện tử Samsung ngày 30/6 công bố đã bắt đầu sản xuất đại trà trên nền tảng công đoạn 3-nano (nanomet) áp dụng công nghệ GAA (Gate-All-Around), tạm dịch là bóng bán dẫn có cực cổng dạng vòng xung quanh. 
 
Hãng nhấn mạnh GAA là công nghệ thế hệ mới, có tốc độ xử lý dữ liệu và hiệu suất điện năng cao hơn so với cấu trúc FinFET do bao quanh được 4 mặt của kênh dẫn - nơi dòng điện đi qua bóng bán dẫn (transitor), thay vì 3 mặt như FinFET.

Điện tử Samsung là đơn vị đầu tiên trong số các nhà sản xuất chíp bán dẫn thế giới sản xuất đại trà trên nền tảng công đoạn 3-nano ứng dụng công nghệ GAA.

Phía Samsung cho biết hãng sẽ bắt đầu sản xuất chíp bán dẫn hệ thống tính năng cao dùng cho máy tính, sau đó sẽ áp dụng công đoạn 3-nano trong sản xuất "SoC" (Hệ thống trên một vi mạch - System on Chip) dùng cho điện thoại di động.
 
Điện tử Samsung cho biết với công đoạn 3-nano ứng dụng công nghệ GAA, hãng sẽ cắt giảm được 45% điện năng so với hiện tại nhờ tối ưu hóa với công nghệ công đoạn thiết kế, nâng cao được 23% tính năng của sản phẩm.

Trong thời gian tới, Samsung có kế hoạch nâng cao tính năng và hiệu suất điện năng thông qua công đoạn GAA thế hệ hai, thu hẹp kích thước của sản phẩm.