Крупнейшие в мире производители микрочипов южнокорейская Samsung Electronics, японская Toshiba и американская Intel начали совместный проект по разработке технологий производства полупроводников следующего поколения. Об этом сообщило японское издание Nikkei. Согласно этим данным, в рамках проекта компании намерены до 2016 года уменьшить размеры полупроводниковых микросхем до 10 нм, что на половину меньше имеющихся на данный момент аналогов. Это позволит во много раз увеличить вместительность полупроводников. Разработки будут вестись в научно-исследовательском центре японского города Цукуба в префектуре Ибараки. Когда компаниям Samsung Electronics, Toshiba и Intel удастся разработать методики выпуска микросхем с нормами до 10 нанометров, то микрочип размером с почтовую марку будет иметь в три раза большую память, чем его нынешние аналоги. Для примера на такой чип можно будет записать сто кинофильмов высокой четкости. Компании Samsung Electronics и Toshiba планируют применять новую технологию в флэш-памяти типа NAND, используемой в мобильных телефонах и других высокотехнологичных устройствах. Samsung и Toshiba занимают первое и второе места в мире по производству данного типа флэш-памяти.