Южнокорейские ученые создали технологию производства нанополупроводников нового типа. В четверг научная группа под руководством профессора сеульского женского университета Ихва Нам Гу Хёна и профессора Корейского института передовой науки и технологий Ко Сын Хвана сообщила об успешном создании трещины на запланированных местах силиконовой подложки путем накопления на ней тонкостенного нитрида кремния. По сообщению ученых, возможность эффективного контроля за созданием трещины на силиконовой подложке позволяет пробить в ней наноразмерный канал. По мнению ученых, эти технологии можно применить к производству памяти, элементов электронной схемы и нанополупроводников. О достижении ученых из университета Ихва и Корейского института передовой науки и технологий говорится в статье, опубликованной в последнем номере журнала Nature.