Южнокорейская компания Samsung Electronics впервые в индустрии приступила к производству 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит. Данные чипы мобильной памяти DRAM предназначены для современных портативных устройств и призваны сделать их легче, быстрее и производительнее. Новые технологии дают возможность более чем на 30 процентов увеличить объемы производства по сравнению с памятью, выпускаемой по нормам 25-нанометрового техпроцесса, и более чем вдвое по сравнению с нормами 30-нанометрового класса. Энергопотребление у модулей DDR3, в которых используются новые чипы, на 25 процентов меньше, чем в модулях с чипами предыдущего поколения, а производительность на 30 процентов выше. Компания планирует первым делом применить новые технологии в персональных компьютерах, а впоследствии и в создании мобильных устройств, в том числе, смартфонов.