Samsung Electronics завершила разработку кристаллов памяти DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм. Это произошло через 16 месяцев после начала массового производства памяти DDR4 с использованием техпроцесса второго поколения 10-нм класса. Таким образом, компания может повысить производительность кристаллов памяти более чем на 20%. С ростом скорости повысилась и энергоэффективность. Samsung Electronics намерена наладить массовое производство 8-Гбит чипов DDR4 с использованием техпроцесса 1z-nm класса 10 нм во второй половине текущего года.