Компания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска первых в отрасли микросхем памяти LPDDR5 DRAM плотностью 12 Гбит. Новинка производится по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм). Речь идёт о модулях объёмом 12 ГБ - по 8 микросхем в один корпус. Они предназначены для флагманских смартфонов нового поколения и оптимизированы для работы технологий связи 5G и искусственного интеллекта. Новая память обходит по производительности предыдущее поколение в 1,3 раза. Пропускная способность новой памяти составляет 5.500 Мбит/с по одной линии. Память позволит передавать, к примеру, фильм объёмом 3,7 ГБ в высоком разрешении Full HD за одну секунду. Кроме того, энергопотребление удалось сохранить на 30%. Планируется уже в следующем году разработать кристаллы LPDDR5 DRAM плотностью 16 Гбит.