SK hynix hat mit der Produktion eines TLC-NAND-Flash-Speichers mit 321 Schichten begonnen.

Das teilte das Unternehmen am Donnerstag mit.

In NAND sind die Speicherzellen vertikal gestapelt. Man unterscheidet je nach Anzahl der Bits pro Speicherzelle zwischen Single-, Multi-, Triple und Quadruple-Cell. TLC steht für Triple-Level Cell und damit drei Bits pro Zelle.

Das Unternehmen bietet erstmals in der Welt einen NAND-Flash-Speicher mit mehr als 300 Schichten an.

Damit wird auf dem Erfolg des Produkts mit 238 Schichten aufgebaut, dessen Massenproduktion im Juni 2023 begonnen wurde.

Die neuen Flash-Speicher sollen im ersten Halbjahr 2025 ausgeliefert werden.

SK hynix macht nach eigenen Angaben mit der neuen Entwicklung einen weiteren Schritt in Richtung Marktführerschaft bei Speicherlösungen für KI.

SSD-Datenspeicher werden für KI-Datenzentren und On-Device-AI oder KI im Endgerät gebraucht.