韩国国际广播电台报道：SK海力士(Hynix)将斥资5.2亿韩元在美国印第安纳州建立下一代高带宽内存（HBM, High Bandwidth Memory）芯片工厂。

该工厂将于2028年下半年投产，这是SK海力士首次在海外建立人工智能(AI) 芯片工厂。

SK海力士当地时间3日在位于印第安纳州西拉斐特（City of West Lafayette）的普渡大学(Purdue University) 与美国政府官员共同举行了投资协议签署仪式并公布了这一计划。

SK海力士表示，将在西拉斐特建立人工智能存储器先进封装工厂，并与普渡大学等当地研究机构合作开展半导体研发。

这是半导体行业首次在美国建立人工智能先进封装工厂。

SK海力士将为该项目斥资38.7亿美元（约折合5.2万亿韩元），争取从2028年下半年起量产下一代高带宽内存(HBM)等人工智能存储器。

SK海力士表示，将通过工厂和研发设施在当地创造逾1000个就业岗位，为地区社会发展做贡献。

目前SK海力士在高带宽内存(HBM)市场中排名第一，为人工智能芯片领头羊英伟达独家供应第四代高带宽内存产品HBM3，并将从下月底开始为客户供应第五代产品HBM3E。