SK Hynix wird als erstes Unternehmen HBM3E DRAM, die fünfte Generation des Speichers mit hoher Bandbreite (High Bandwidth Memory, HBM) an NVIDA liefern. 

Der koreanische Halbleiterhersteller teilte am Dienstag mit, als Erster in der Welt HBM3E, ein neues Speicherprodukt für Hochleistungs-KI, in Massenproduktion zu fertigen und Ende März mit der Auslieferung zu beginnen. 

HBM ist ein Hochleistungsprodukt mit hoher Wertschöpfung. Dabei wurde durch die vertikale Verbindung mehrerer DRAMs die Datenverarbeitungsgeschwindigkeit verglichen mit herkömmlichen DRAM-Speichern drastisch erhöht. HBM3E ist eine erweiterte Version von HBM3. 

Der HBM3E von SK Hynix kann bis zu 1,18 Terabyte (TB) Daten pro Sekunde verarbeiten. Das entspricht der Verarbeitung von mehr als 230 Full-HD-Filmen (5 GB) in einer Sekunde.