Produsen semikonduktor Korea, Hynix menyatakan pihaknya akan memproduksi secara massal chip memori NAND Flash yang menerapkan teknologi 40 nano, untuk pertama kali di dunia mulai awal tahun depan.
Perusahaan Hynix telah menyelesaikan pengembangan 16 gigabit multi-level cell NAND FLASH yang menerapkan teknologi 48-nano.
Dengan pengembangan tersebut, Hynix mengharapkan peningkatan produktivitasnya 10 persen lebih tinggi daripada Samsung dan 20 persen lebih tinggi daripada Toshiba.
Perusahaan yang memimpin industri semi konduktor, Samsung, baru baru ini memproduksi NAND Flash yang menerapkan teknologi 51-nano dan untuk posisi kedua, Toshiba menggunakan proses 56-nano.