Perusahaan Samsung Elektronik Korea, untuk pertama kali di seluruh dunia, berhasil mengembangkan D-Ram 2 Giga bit, DDR3 yang menerapkan proses teknologi 30 nano.
Menurut Samsung, kecepatan DDR3 D-Ram 30 nano dapat meningkatkan rasio produktifitas 60% lebih daripada D-Ram 40 nano, bahkan daya saing harga bahan bakunya 2 kali lebih tinggi daripada D-Ram 50 nano.
Dikatakan, khususnya DDR 3 D-Ram 30 nano dapat menghemat konsumsi listrik 40% lebih daripada chip 50 nanometer.
Pihak Samsung akan memroduksi DDR 3 D-Ram 2 Giga bit secara massal untuk tujuan komersial mulai semester kedua tahun 2010 ini.