Samsung Electronics hat nach eigenen Angaben erstmals in der Welt einen 4 Gigabit DDR3 DRAM-Chip in 50-Nanometer-Technologie entwickelt.

Der Speicher kann mit 1.600 Megabit pro Sekunde die höchste Datenübertragungsgeschwindigkeit erzielen. Damit wird die Leistung im Vergleich zu den im vergangenen September entwickelten 2 Gigabit DDR3 DRAM in 50-Nanometer-Technologie um 20 Prozent gesteigert. 4 Gigabit DDR3 DRAM können sowohl für Server als auch für Desktops sowie Laptops eingesetzt werden.

Samsung hatte im September 2007 als erstes Unternehmen der Welt einen 2 Gigabit DDR2 DRAM in 60-Nanometer-Technologie entwickelt. Dadurch eröffnete der Elektronikkonzern ein Zeitalter von DRAM mit hoher Kapazität.