Nihon Keijai Simbun mengabarkan bahwa Samsung Elektronik Korea, Toshiba Jepang, Intel Amerika Serikat akan memulai proyek bersama untuk mengembangkan semi konduktor generasi terdepan.
Proyek kali ini berlanjut hingga tahun 2016 di Ibaraki, Jepang dan akan membuat kapasitas semi kondurtor dengan mengurangi ukuran sirkuit hingga 10 nano meter yaitu lebih kecil dari separuh semi konduktor yang ada saat ini.
Jika dikembangkan lebih lanjut, semi konduktor berukuran 10 nano meter ini dapat menyimpan data berkapasitas 3 kali lebih besar daripada yang ada saat ini atau sebanyak 100 film berkualitas tinggi pada semikonduktor seukuran perangko.
Diperkirakan pula bahwa Samsung dan Toshiba akan menggunakan semi konduktor 10 nano meter ini pada memori flash NAND yang akan digunakan dalam telepon genggam.