Samsung Electronics menyelesaikan pembangunan pabrik semikonduktor memori di Xi An, Cina, dan memulai produksinya pada hari Jumat (9/5/2014).

Peresmian pabrik itu dihadiri pejabat tinggi pemerintah dari Korea Selatan dan Cina serta pimpinan perusahaan Samsung Electronics.

Pabrik semikonduktor di Xi An dibangun di atas tanah seluas 1,15 juta meter persegi selama 20 bulan dengan dana sebanyak 7 miliar dolar AS.

Ini adalah pabrik kedua di dunia yang akan memproduksi V-NAND tingkat 10 nanometer, selain di Korea Selatan.

Dengan adanya pabrik ini Samsung Electronics berharap dapat menyediakan produk V-NAND secara stabil.