Hynix hat weltweit erstmals einen 4 Gigabit DDR3-DRAM-Chip in 30-Nanometer-Technologie entwickelt.

Das teilte der südkoreanische Halbleiterhersteller mit.

Der neue Speicherchip soll hauptsächlich in einem Premium-Server mit großer Kapazität oder in einem PC mit hohen Spezifikationen eingesetzt werden. Er garantiert eine schnellere Verarbeitungsgeschwindigkeit und geringeren Stromverbrauch.

Hynix werde zudem die Massenproduktion von 2 Gigabit DDR3-DRAM-Chips der 30 Nanometer-Klasse planmäßig im ersten Quartal 2011 aufnehmen, hieß es weiter.