Hynix hat einen DRAM-Chip mit der weltweit größten Kapazität präsentiert.

Der südkoreanische Halbleiterhersteller entwickelte nach eigenen Angaben einen 16 Gigabit DDR3-DRAM-Chip. Dabei wurden acht 2 Gigabit DDR3-DRAM in 40-Nanometer-Technologie mit Hilfe der sogenannten TSV-Technologie (Silizium-Durchkontaktierung) aufeinander geschichtet.

Werden die Chips kaskadiert, sei eine Kapazität von bis zu 64 Gigabit möglich. Das neue Produkt sei daher vor allem für den Einsatz in Servern und Workstations mit großer Rechenleistung geeignet, hieß es.