既存の半導体よりはるかに早く、電力消費も少ない次世代半導体技術が、韓国電子通信研究院で開発されました。これは既存の金属酸化シリコン半導体より速度は２０％早く雑音は１００分の１、電力消費は半分に減らしたＳＳ－ＨＭＯＳ半導体で、ドイツとアメリカについで世界で３番めに開発されました。この技術を開発したシムギュファン博士は、この技術でＣＰＵ＝中央処理装置を作れば、既存のＣＰＵより１００倍ほど早い、３００ギガヘルツ級のＣＰＵが作れると述べました 。