三星電子が、炭素素材のグラフェンを活用し、半導体の性能を最大で100倍も高める技術の開発に初めて成功しました。
グラフェンは、夢の新素材とも言われ、優れた電子移動速度を持っており、シリコンの代替材料として脚光を浴びてきました。しかし、金属の特性を持つことから、電流を遮断することができない点が問題として指摘されてきました。
三星電子総合技術院は、3年間の研究の末、グラフェンとシリコンを接合する方法で電流を遮断できる新しい素材の開発に成功しました。
これはグラフェンとシリコンを接合し、「ショットキー障壁（Shortkey Barrier）」と呼ばれるエネルギーの壁を作り、この壁の高さを調節して電流を流したり、遮断したりすることができるということです。
研究成果は、アメリカの科学誌「サイエンス」の17日付けのオンライン版に掲載されており、10年後にも商用化できるものとみられます。