Samsung Electronics, weltweit größter Hersteller von Speicherchips, hat als erster der Branche die Massenproduktion eines 3D V-NAND-Flash-Speichers aufgenommen.

Der Speicherchip bietet 128 Gigabit pro einzelnem Chip und nutzt Samsungs vertikale Zellstruktur basierend auf der 3D Charge Trap Flash Technologie.

Konventionelle Speicherbausteine basieren auf ebenflächigen Strukturen und nutzen Floating-Gate-Transistoren. Im Zuge des Fortschritts der Herstellungstechnologie wuchsen die Bedenken hinsichtlich der Maximalgröße, da mit zunehmender Größe der Ausschuss zunimmt und die Zuverlässigkeit der NAND-Flash-Bausteine nachlässt. Dies geht außerdem mit höheren Entwicklungszeiten und Kosten einher.

Der neue 3D V-NAND sei das Ergebnis jahrelanger Bemühungen, um die Grenzen der alten Denkweise zu verschieben und innovative Ansätze für das Design in der Halbleiter-Technologie anzustreben, hieß es in einer Pressemitteilung des Unternehmens.

Nach rund zehnjähriger Entwicklungszeit habe der Konzern nach eigenen Angaben weltweit über 300 Patente im Bereich der 3D-Speichertechnologie angemeldet.

Nach Einschätzung des Marktforschers IHS iSuppli wird der Weltmarkt für NAND-Flash-Speicher bis 2016 ein Volumen von schätzungsweise 30,8 Milliarden Dollar erreichen, nach 23,6 Milliarden 2013.

Samsung habe zwischen Januar und März NAND-Flash-Bausteine im Wert von 2,03 Milliarden Dollar verkauft, das habe einem Weltmarktanteil von 38,5 Prozent entsprochen, hieß es.