Samsung Electronics hat Anfang März weltweit erstmals die Massenproduktion von 4 Gigabit DRAM der 20-Nanometer-Klasse aufgenommen.

Der neue Speicherchip verbrauche 25 Prozent weniger Strom als das Vorgängermodell DRAM der 25-Nanometer-Technologie. Die Produktivität sei mehr als 30 Prozent höher, teilte Samsung mit.

Der Elektronikkonzern will den neuen DRAM zuerst in Computern verbauen und bald auch für Smartphones und Server-Lösungen einsetzen.