Samsung Electronics hat weltweit erstmals mit der Produktion des vertikalen 3-Bit-NAND-Flash-Memory-Chips begonnen, um Chips mit verbesserter Datenspeicherkapazität anbieten zu können.

Dies teilte das Unternehmen mit.

Der weltweit größte Chip-Hersteller hatte den Chip, der eine Datenmenge von 3 Bits in jeder Zelle speichern kann, unter dem Namen Triple Level Cell (TLC) erstmals im August vorgestellt. Bis vor kurzem war die 3-bit-Technologie nur bei ebenen NAND-Flash-Produkten angewandt worden.

Das nun neu entwickelte 3-bit-V-NAND besitzt 32 Schichten laminierter Zellen, und der Integrationsgrad ist mindestens 30 Prozent höher als bei V-NAND-Chips mit 24-Schichten.

Gemeinsam mit Dynamic-Random-Access-Memory(DRAM)-Chips werden NAND-Flash-Memory- Chips in Smartphonen, Tablet-PCs und weiteren Mobilgeräten eingesetzt, um Daten beim Ausschalten zu speichern.

Der Marktanteil des südkoreanischen Elektronikgiganten im Bereich der NAND-Flash-Produkte erreichte in der Zeit zwischen April und Juni 30,8 Prozent, 0,8 Prozent mehr als im vorausgegangenen Quartal, wie Daten des Marktforschungsunternehmens DRAMeXchange belegen.