三星電子が、世界で初めてとなる従来の半導体記憶素子の7倍高速な次世代の「4GB HBM2 DRAM」を量産すると発表しました。
この製品はデータ転送速度などの性能を向上させ、従来のDRAMに比べて省エネ、 超薄、高信頼性を実現したものです。1秒あたり最大256GBのデータを転送することができるため、データ処理能力が従来の製品より7倍向上したほか、グラフィックカードで占めるDRAMの装着面積も大幅に削減しました。
三星電子はことし上半期中に「8GB HBM2 DRAM」の量産も開始し、超高解像度を備えた次世代のグラフィックスソリューションを披露する予定です。