Samsung Electronis hat weltweit erstmals das Zeitalter der 10-Nanometer-DRAM-Chips eröffnet.

Samsung gab am Dienstag bekannt, im Februar die Massenproduktion von 8 Gigabit DDR4 DRAM der 10-Nanometer-Klasse gestartet zu haben.

Damit setzte der Elektronikkonzern in der Speichertechnologie erneut einen Meilenstein.

Ein 8 Gb DDR DRAM der 10-Nanometer-Technologie ermöglicht eine Geschwindigkeit von 3.200 Mbps, das ist mehr als 30 Prozent schneller als ein DRAM der 20-Nanometer-Klasse. Zudem wird zehn bis 20 Prozent weniger Strom verbraucht.

Samsung will noch im laufenden Jahr auch die Massenproduktion von mobilen DRAM der 10-Nanometer-Klasse aufnehmen.