三星電子が4日、ソウル近郊の京畿道（キョンギド）・平沢（ピョンテク）に完成した半導体生産ラインの本格的な稼働を開始しました。
三星電子は4日、平沢の半導体団地で権五鉉（クォン・オヒョン）副会長、金奇南（キム・ギナム）半導体総括社長をはじめ、およそ100人が出席して製品の出荷式を行い、最先端の3次元V―NAND型フラッシュメモリーの量産を始めたと伝えました。
平沢の半導体ラインは、2015年5月の着工から2年あまりで完成しており、単一生産ラインとしては世界最大規模です。
ここで生産される製品は、第4世代の64層V―NANDで、三星電子は今後生産設備を拡充し、最近のグローバル半導体市場の品不足に対応したいとしています。
2021年までの総投資規模はおよそ37兆ウォンに達するとみられています。
また、2014年に完成し、現在稼働率100％となっている中国・西安の半導体ラインを増設し、NAND型フラッシュメモリーの最大の需要地である中国市場に対応するとしています。
三星電子は、こうした生産ラインへの大規模な投資により、部品事業の競争力強化を図るとともに、雇用の創出とIT関連産業のさらなる発展に貢献できると期待を示しています。