三星電子とSKハイニックスの半導体大手2社の設備投資がことし、最大で30兆ウォンを超える見通しです。
これまででもっとも多いものです。
半導体業界が2日、明らかにしたところによりますと、三星電子はことし上半期に、半導体部門に12兆5200億ウォンの設備投資を行ったということです。
これは、3次元垂直構造のV-NANDフラッシュメモリやシステム半導体のイメージセンサーの生産能力を増やし、ファウンドリに微細加工工程を導入するのに集中的に投じられます。
また中国西安の工場に半導体ラインを増設する案も検討しています。
三星電子の設備投資はことし、20兆ウォンを超えるとみられ、証券街では、最大で29兆ウォンに上るという見通しも出ています。
SKハイニックスもことし、これまででもっとも多い9兆6000億ウォンを投資するとしています。
DラムやNANDフラッシュの生産能力アップを目指します。
SKハイニックスの関係者は、「長期的に未来に備えるための投資だ」と説明しています。