三星電子が、世界で初めて半導体回路の幅が1億分の1メートルの、10ナノメートル台の第二世代DRAMの量産していると20日、発表しました。
三星電子は、去年2月に回路の線幅を従来より細くして20ナノメートル台のDRAMに比べて生産性を３割程度高めた 10ナノメートルクラスの第一世代DRAMを世界で初めて量産しましたが、そこからさらなる技術革新を遂げ、今回、第一世代DRAMに比べて生産性を3割向上させた第二世代Ｄラムを量産することになりました。
DRAMは、パソコンなどに使う最先端の半導体メモリーで、三星電子は、世界のDRAM市場で44.5%のシェアを占め、世界トップとなっています。
三星電子は、第二世代DRAMの量産で、半導体価格の下落が続くなかで原価低減を進めると同時に、パソコンやスマートフォンなど電子機器の小型・高性能化に対応することで、半導体市場を先取りしていく考えです。