Samsung Electronics hat weltweit erstmals die Massenproduktion von 10-Nanometer-DRAM der zweiten Generation gestartet.

Das Unternehmen teilte am Mittwoch mit, dass die Massenproduktion von 8-Gigabit DDR4 DRAM der 10-Nanometer-Klasse, der weltweit kleinsten Chipgröße, letzten Monat begonnen habe.

Dabei wurde die Produktivität verglichen mit derzeit für Computer verwendeten DRAM-Speichern verbessert, gleichzeitig wurde die Geschwindigkeit des Speichers erhöht und der Stromverbrauch deutlich gesenkt. Samsung will mit den neuen Speichern den Markt für DRAM der nächsten Generation für Server, mobile Geräte und Supercomputer erobern.

Die Massenproduktion von 10-Nanometer-DRAM der zweiten Generation wurde erst 21 Monate nach dem Beginn der Massenproduktion der 10-Nanometer-DRAM-Speicher der ersten Generation im Februar letzten Jahres bewerkstelligt.