Samsung Electronics menyatakan pada hari Selasa (27/02) bahwa pihaknya berhasil mengembangkan chip memori bandwidth tinggi (HBM) generasi kelima HBM3E, yang memiliki kapasitas paling besar di industri sebesar 36 gigabyte untuk pertama kali. 

Chip HBM3E 12 lapis itu, menyediakan bandwidth tinggi sepanjang 1.280 gigabyte per detik dan kapasitas terbesar di industri sebesar 36 gigabyte, sehingga aspeknya meningkat lebih dari 50% dibandingkan HBM3 dengan 8 lapis.

Chip yang dikembangkan dengan menggunakan teknologi  'Advanced TC NCF' itu memiliki keunggulan yang bisa mengurangi pembengkokan cetakan chip yang disebabkan oleh cetakan yang lebih tipis.

Samsung menjelaskan bahwa pengembangan chip tersebut menjadi solusi terbaik kepada perusahaan yang memanfaatkan platform AI. 

Samsung telah menyuguhkan sampel HBM3E 12 lapis itu kepada perusahaan klien, dan akan memproduksinya pada semester pertama tahun ini.