Samsung Electronics ist es nach eigenen Angaben weltweit erstmals gelungen, SSDs mit V-NAND der sechsten Generation in Massen zu produzieren.

Bei den SSDs mit der neusten V-NAND-Technologie mit über 100 übereinander liegenden Zellschichten (Layern) sei die Schreibgeschwindigkeit bei erhöhter Energieeffizienz verbessert worden. Das neue Laufwerk biete eine Schreib- und Lesegeschwindigkeit von bis zu 450 bzw. 45 Mikrosekunden, was die bisher höchste Geschwindigkeit bei einem 3 Bit-V-NAND darstelle.

Das neue Laufwerk genüge mit seinen Eigenschaften erstmals den Anforderungen für Smartphones der nächsten Generation. Die Technologie sei auch auf den Märkten für Enterprise-Server und Autos anwendbar.