韓国の半導体大手SKハイニックスは3日、世界最大容量で最小サイズの次世代型半導体、238層NAND型フラッシュメモリーの開発に成功したと発表しました。
SKハイニックスは、238層512Gb（ギガビット）TLC（Triple Level Cell）4D NAND型フラッシュメモリーのサンプルの出荷を顧客向けに開始し、来年上半期から量産体制に入ると明らかにしました。
SKハイニックスは、アメリカ・カリフォルニア州のサンタクララで開幕した「フラッシュメモリーサミット（FMS : Flash Memory Summit）2022」で、この新製品を公開しました。
NAND型フラッシュメモリーは、電源が消えてもデータが保存されるメモリー半導体で、データの保存空間を高層住宅のように積み上げて容量を増やす「積層技術」が、技術力の指標となります。
SKハイニックスの新たなメモリーは、世界最高層であると同時に、最小サイズで作られたということで、これまでの世代に比べて生産性が34%向上しました。
また、データの伝送速度は1秒当たり2.4Gbで50%改善したほか、データの読み取りに使われるエネルギー消費量も、21%削減したということです。
SKハイニックスは、「2020年12月に176層NAND型フラッシュメモリーを開発してから1年7か月で次世代の技術開発に成功した。特に今回の238層NANDは、世界最高層を最小サイズで実現したため、非常に意義深い」と説明しました。