サムスン電子とSKハイニックスの中国にある半導体工場にアメリカ製の装置を導入するたびにアメリカ政府から個別の許可を受けなければならなくなるところでしたが、アメリカ政府が、装置の輸出を年単位で一括承認する方式に規制を緩和しました。

業界関係者が30日、明らかにしたところによりますと、アメリカ商務省傘下の産業安全保障局は、両社の中国法人について、毎年必要となる半導体装置や部品の種類と数量を事前に申請させ、一括審査のうえ、輸出を認める方針に変更したということです。

また、両社は来年の装置導入計画について、すでに承認を得たということです。
 
産業安全保障局はことし8月末、サムスン電子の中国・西安にあるNAND型フラッシュ工場と、SKハイニックスの無錫にあるDRAM工場と大連のNAND型フラッシュ工場について、アメリカ製の半導体製造装置の輸出優遇措置を廃止することを決め、特別な手続きを必要としない「検証済み最終使用者」の対象から外すと発表していました。
 
この措置が実施されれば、装置を中国の工場に導入するたびにアメリカ政府の個別の許可が必要となります。
 
また、この場合、アメリカ政府は、年間1000件に上る許可の申請に対応しなければならなくなり、遅れが予想されることから工場運営への支障が懸念されていました。
 
この措置は今月31日に実施される予定でした。
 
今回の規制の緩和は、アメリカの中国に対する半導体規制の基本方針が転換されたものではなく、既存の中国工場の正常な稼働という目的に限って、限定的に認めたものと受け止められています。

実際にアメリカ政府は、中国国内の工場の新規拡大や設備の高度化を目的とした装置の導入は認めないとするこれまでの方針を、引き続き維持する考えです。
 
業界では、短期的な運営の混乱は避けられたものの、米中の技術覇権争いが続くなかで、中・長期的な運営の不確実性は依然として残っているとみています。