SK Hynix hat das bisher höchste NAND-Flash mit 238 Speicherzellschichten entwickelt. 

Der koreanische Halbleiterhersteller teilte am Mittwoch mit, dass er Proben des 4D-NAND-Flash mit 238 Schichten und 512 Gigabit TLC (Triple-Level Cell) ausgeliefert habe und im ersten Halbjahr nächsten Jahres mit der Massenproduktion beginnen werde. 

SK Hynix präsentierte auf dem Flash Memory Summit (FMS) 2022, der in der US-Stadt Santa Clara eröffnet wurde, das neue Produkt.  

NAND-Flash ist ein Halbleiterspeicher, der auch nach dem Ausschalten Daten speichern kann. Grundlage ist die Technologie zur Schichtung des Raums zur Datenspeicherung. 

SK Hynix konnte zudem das neue NAND-Flash in der weltweit kleinsten Größe fertigen, damit wurde die Produktivität verglichen mit 176-Layer-NAND-Flash-Chips, der Vorgängergeneration, um 34 Prozent erhöht. 

Die Datenübertragungsgeschwindigkeit sei verglichen mit der Vorgängergeneration um 50 Prozent gestiegen, während sich der Energieverbrauch um 21 Prozent verringert habe, so das Unternehmen.