半導体のサプライチェーンをめぐるアメリカと中国の対立が激しさを増しているなか、アメリカは去年、自国への投資を促すために390億ドル規模の資金援助を発表していますが、この助成金制度への申請が今月28日に始まります。 
 
アメリカは、アメリカ国内に半導体の工場を建設する企業に対して、助成金を支援するということで、今月28日から申請を受け付けるということです。
 
サムスン電子とSKハイニックスは、アメリカに大規模な半導体工場を新たに建設する計画をすでに発表していますが、助成金交付の対象の条件として、中国に新規投資を行わないことが含まれているため、中国に工場を持つサムスンとSKが対象と認められるか注目されます。
 
助成金の交付とは別に、サムスンとSKが、中国の自社工場で生産する半導体の技術水準も課題となっています。
 
中国の半導体製造技術の向上が軍事力の強化につながる懸念があるとして、アメリカ商務部は去年10月、中国で半導体を生産している企業に、アメリカの半導体製造装置を輸出できないようにする輸出規制の強化を発表しましたが、サムスンとSKの中国工場に対しては規制の適用を1年間猶予しました。
 
これに関連して、アメリカ商務部のアラン・エステベス産業安保次官は23日、アメリカ・ワシントンで開催された韓米経済安保フォーラムで、サムスンとSKが、輸出規制の1年間の猶予が終わったあと、中国の工場で一定の技術水準を超える半導体を生産できないように上限を設定すると明らかにしました。
 
上限についてエステベス次官は、「NAND型フラッシュメモリを、現在ある一定量生産している場合、特定の技術水準以下の生産のみ認める」と説明しました。
 
そのうえで、「どの水準まで認めるかは、中国の動向次第だが、アメリカは韓国企業と緊密に協議している」と明らかにしました。