삼성전자가 D램에도 극자외선(EUV) 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄습니다.

미세공정의 한계를 돌파하고 메모리 반도체 시장에서의 기술 리더십을 강화해가겠다는 전략이 읽힙니다.

삼성전자는 25일 업계 최초로 EUV 공정을 적용, 생산한 1세대 10나노급(1x) DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 공급해 고객 평가를 완료했다고 밝혔습니다.

이에 따라 삼성전자는 차세대 D램 제품부터 EUV 공정을 전면 적용할 계획이라고 설명했습니다.

EUV 공정은 포토공정에서 극자외선 파장의 광원을 사용하는 것으로, 이 기술을 적용하면 멀티 패터닝 공정을 줄이고 정확도를 높여 성능과 수율을 향상, 제품 개발 기간을 단축할 수 있습니다.

삼성전자는 지난해 9월 양산에 돌입한 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램까지는 EUV 공정을 도입하지 않았으나, 미세화의 한계가 오면서 EUV 적용에 박차를 가한 것으로 알려졌습니다.

현재 회사는 EUV 공정으로 14나노 초반대 4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술을 개발하고 있습니다.

양산에 성공하면 1x D램보다 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높일 수 있습니다.

내년에는 1a D램(DDR5·LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 메모리 시장 '초격차'를 이어가겠다는 전략입니다.

삼성전자 메모리사업부 D램 개발실 이정배 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다"며 "글로벌 IT 시장이 지속 성장하는데 기여할 것"이라고 말했습니다.

한편 1a D램이 양산될 평택 신규 라인은 올 하반기 가동해 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양상 체제를 구축할 계획입니다.